Název: Elektronické a termoelektrické vlastnosti třímocného chalcohalidového polovodiče: Studie prvních zásad
Electronic and Thermoelectric Properties of Ternary Chalcohalide Semiconductors: First Principles Study
Autoři: Khan, Wilayat
Hussain, Sajjad W.
Minár, Jan
Azam, Sikander A.
Citace zdrojového dokumentu: KHAN, W., HUSSAIN, S. W., MINÁR, J., AZAM, S. A. Electronic and Thermoelectric Properties of Ternary Chalcohalide Semiconductors: First Principles Study. Journal of electronic materials, 2018, roč. 47, č. 2, s. 1131-1139. ISSN 0361-5235.
Datum vydání: 2018
Nakladatel: Springer Verlag
Typ dokumentu: článek
article
URI: http://hdl.handle.net/11025/29312
ISSN: 0361-5235
Klíčová slova: Halidy;polovodiče;elektronická struktura;termoelektrika;tepelná vodivost
Klíčová slova v dalším jazyce: Halides;semiconductors;electronic structure;thermoelectrics;thermal conductivity
Abstrakt: Ternární chalkoalidy jsou široce využívány pro různé aplikace. Termoelektrické vlastnosti SbSI, SbSeI a SbSBr byly zkoumány teoretickými simulacemi a nálezy byly provedeny pomocí BoltzTraP kódu založeného na semi-klasické Boltzmannově transportní teorii. V této studii jsme simulovali elektronické struktury s použitím generalizovaného gradientu Englo-Vosko použitého v programu WIEN2k. Z elektronických struktur pásem jsme nalezli kombinaci lehkých a těžkých pásů kolem úrovně Fermi ve valenčním pásmu, které silně ovlivňují efektivní hmotnost nosičů. Celé termoelektrické parametry, jako je elektrická, elektronická část tepelných vodivostí, Seebeckův koeficient a výkonový faktor, byly analyzovány jako funkce teplotního a chemického potenciálu. Korelace mezi efektivními hmotami a termoelektrickými vlastnostmi je také zahrnutá v diskusi, protože účinná hmota odhaluje pohyblivost nosičů, které zase ovlivňují termoelektrické vlastnosti. Nahrazení síry odhaluje vysokou elektrickou vodivost a menší součinitel Seebeck založený na efektivní hmotnosti vede ke zvýšení účiníku.
Abstrakt v dalším jazyce: Ternary chalcohalides have been widely utilized for different device applications. The thermoelectric properties of SbSI, SbSeI and SbSBr have been investigated by theoretical simulations, and the findings have been performed using BoltzTraP code, based on semi-classical Boltzmann transport theory. In this study, we simulated the electronic structures using the Englo-Vosko generalized gradient approximation employed in the WIEN2k program. From the electronic band structures, we found a combination of light and heavy bands around the Fermi level in the valence band, which strongly affect the effective masses of the carriers. The entire thermoelectric parameters, like the electrical, the electronic part of the thermal conductivities, the Seebeck coefficient and the power factor have been analysed as functions of temperature and chemical potential. The correlation between the effective masses and the thermoelectric properties is also included in the discussion because the effective mass reveals the mobility of the carriers which in turn affect the thermoelectric properties. The substitution of sulfur reveals high electrical conductivity and a smaller Seebeck coefficient based on effective mass leads to the increase in the power factor.
Práva: Plný text není přístupný.
© Springer Verlag
Vyskytuje se v kolekcích:OpenAire
Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
SbSI.pdf2,94 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/29312

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD