Full metadata record
DC pole | Hodnota | Jazyk |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ahmad, Iftikhar | |
dc.contributor.author | Khan, Shujaat Ali | |
dc.contributor.author | Idrees, Muhammad | |
dc.contributor.author | Haneef, Muhammad | |
dc.contributor.author | Shahid, Ismail | |
dc.contributor.author | Din, Haleem Ud | |
dc.contributor.author | Khan, Saleem Ayaz | |
dc.contributor.author | Amin, Bin | |
dc.date.accessioned | 2019-01-21T11:00:12Z | - |
dc.date.available | 2019-01-21T11:00:12Z | - |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | AHMAD, I., KHAN, S. A., IDREES, M., HANEEF, M., SHAHID, I., DIN, H. U., KHAN, S. A., AMIN, B. Influence of strain on specific features of MoX2 (X = S, Se, Te) monolayers. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2018, roč. 545, č. SEP 15 2018, s. 113-118. ISSN 0921-4526. | en |
dc.identifier.issn | 0921-4526 | |
dc.identifier.uri | 2-s2.0-85048731509 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/30854 | |
dc.description.abstract | Využíváme metodu plný potenciál Linearizované rozšířená roviny vlny (FLAPW) jak je implementováno v kódu WIEN2k pro výpočet strukturální, elektronické, vibrační a fotokatalytických vlastností napjaté monolayery MoS2, MoSe2 a MoTe2. Tlaková napětí 1,5 % MoS2, 1 % u MoSe2 a 1,5 % pro MoTe2, transformovat jejich kapela mezery od přímých k nepřímým, zatímco při tahových napětí zůstává přímá povaha pás. V části velikost tlakové namáhání band gap prochází maximálně a snížení monotónně pevnost v tlaku. Pozoruhodná valenční pásmo rozdělení se nachází u všech tří sloučenin, který je dále upraven o kmen. Mobilita elektronů se také počítá a zjištěno, že se liší pod značným tlakem. Fotokatalytické vlastnosti ukazují, že unstrained a příslušné napjaté MoS2 a MoSe2 systémy jsou vyšší než potenciál H2O∕O2, ukazuje, že H2O lze oxidovat na O2, zatímco MoTe2 se nepodařilo oxiduje H2O k O2. Navíc phonon spektra dále naznačují, že tyto systémy jsou stabilní tlakové a tahové napětí. | cs |
dc.format | 6 s. | cs |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | en | en |
dc.publisher | Elsevier | en |
dc.rights | Plný text není přístupný. | cs |
dc.rights | © Elsevier | en |
dc.subject | Kmen | cs |
dc.subject | Elektronová struktura | cs |
dc.subject | Phonon disperze | cs |
dc.subject | Fotokatalytické reakce | cs |
dc.title | Influence of strain on specific features of MoX2 (X = S, Se, Te) monolayers | en |
dc.title.alternative | Vliv kmene na specifické rysy MoX2 (X = S, Se, Te) monolayery | cs |
dc.type | článek | cs |
dc.type | article | en |
dc.rights.access | closedAccess | en |
dc.type.version | publishedVersion | en |
dc.description.abstract-translated | We employ the full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method as implemented in the WIEN2k code for calculating structural, electronic, vibrational and photocatalytic properties of strained MoS2, MoSe2 and MoTe2 monolayers. Compressive strain of 1.5% for MoS2, 1% for MoSe2, and 1.5% for MoTe2, transform their band gaps from direct to indirect, while in case of tensile strain the nature of band gap remains direct. Under compressive strain size of the band gap passes through a maximum and decreases monotonically under tensile strain. A remarkable valence band splitting is found for all three compounds, which is further modified by strain. Mobility of electron are also calculated and found to be vary under strain. Photocatalytic properties show that unstrained and respective strained MoS2 and MoSe2 systems are higher than the H2O∕O2 potential, showing that H2O can be oxidized to O2, while MoTe2 fail to oxidized H2O to O2. Furthermore phonon spectra suggest that these systems are stable under both compressive and tensile strain. | en |
dc.subject.translated | Strain | en |
dc.subject.translated | Electronic structure | en |
dc.subject.translated | Phonon dispersion | en |
dc.subject.translated | Photocatalytic response | en |
dc.identifier.doi | 10.1016/j.physb.2018.05.034 | |
dc.type.status | Peer-reviewed | en |
dc.identifier.document-number | 449621100018 | |
dc.identifier.obd | 43924126 | |
dc.project.ID | info:eu-repo/grantAgreetment/EC/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami /CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000358 | cs |
Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|
MoX2_KHAN.pdf | 1,5 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/30854
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.