Název: | Electronic structure and thermoelectric properties of PbS1- xTex (x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0) alloys: Ab initio study |
Další názvy: | Elektronická struktura a termoelektrické vlastnosti PbS1-xTex (x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0) slitiny: studie Ab initio |
Autoři: | Khan, Saleem Ayaz Azam, Sikander A. |
Citace zdrojového dokumentu: | KHAN, S. A., AZAM, S. A. Electronic structure and thermoelectric properties of PbS1- xTex (x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0) alloys: Ab initio study. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, roč. 124, č. DEC 2018, s. 248-256. ISSN 0749-6036. |
Datum vydání: | 2018 |
Nakladatel: | Elsevier |
Typ dokumentu: | článek article |
URI: | 2-s2.0-85055969343 http://hdl.handle.net/11025/30855 |
ISSN: | 0749-6036 |
Klíčová slova: | Polovodič;Elektronická struktura;Termoelektrické vlastnosti;FP-LAPW |
Klíčová slova v dalším jazyce: | Semiconductor;Electronic structure;Thermoelectric properties;FP-LAPW |
Abstrakt: | Představujeme elektronickou strukturu a termoelektrické chování pro PbS1-xTex (x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0) za použití metody elektronového plného potenciálu lineárně rozšířené rovinné vlny (FPLAPW). Správná hodnota pásma je dosažena plně relativistickým výpočtem přičemž implicitně využívá spinovou orbitální vazbu k Hamiltonianu. Naše studie ukazuje interakce mezi stavy Pb-s, Te-p a S-p, které hrají vedoucí úlohu v odstupňovaném pásmu zatímco Pb-p a S-p a Te-p stavy hrají dominantní roli ve vedení pásmu. The termoelektrické vlastnosti se zabývají změnami elektrické a tepelné vodivosti, Seebeckův koeficient, účiník a hodnota zásluh s teplotní změnou pomocí Boltzmannova teorie dopravy. Vysokoteplotní údaj o hodnotě slitiny PbS dopovaného teplem bylo zjištěno, že jsou významně vyšší než PbS. Toto zlepšení je spojeno s schopnost dosáhnout vyšší dopingu a tím i větší elektrické vlastnosti při vysokých teplotách. Z toho vyplývá, že jak PbS0.25Te0.75 tak PbTe mohou být použity jako nadějné materiály pro aplikace s vysokým potenciálem termoelektrického zařízení. |
Abstrakt v dalším jazyce: | We present electronic structure and thermoelectric behavior for the PbS1-xTex (x= 0, 0.25, 0.50, 0.75, 1.0) using all electron full potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. The correct value of the band gap is achieved with fully relativistic calculation by employing spin orbit coupling to the Hamiltonian implicitly. Our study shows the interactions between Pb-s, Te-p and S-p states that play a leading role in the valance band while the Pb-p and S-p and Te-p states play a dominant role in conduction band. The thermoelectric properties discuss the variation of the electrical and thermal conductivity, Seebeck coefficient, power factor and figure of merit with temperature variation using the Boltzmann transport theory. The high-temperature figure of merit of Te doped PbS alloy have been found to be significantly greater than PbS. This improvement is associated to the ability to attain higher doping and, hence, larger electrical properties at high temperatures. Hence, it reveals that both PbS0.25Te0.75 and PbTe can be used as promising materials for high potential thermoelectric device applications. |
Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|
Pb1-xTex_Khan.pdf | 4,21 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/30855
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.