Full metadata record
DC pole | Hodnota | Jazyk |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Fořt Jiří, Ing. Ph.D. | |
dc.contributor.author | Rödl, Martin | |
dc.contributor.referee | Pittermann Martin, Doc. Ing. Ph.D. | |
dc.date.accepted | 2018-6-22 | |
dc.date.accessioned | 2019-03-15T10:17:06Z | - |
dc.date.available | 2017-10-10 | |
dc.date.available | 2019-03-15T10:17:06Z | - |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.date.submitted | 2018-6-7 | |
dc.identifier | 74934 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/32180 | |
dc.description.abstract | Předkládaná bakalářská práce je zaměřena na přehled výkonových polovodičových součástek. Práce je strukturovaná od součástek s jednodušší strukturou až po ty složitější. Každá kapitola popisuje funkci součástky, základní parametry a jejich použití. U každé jsou uvedeni vybraní zástupci z aktuálních katalogů výrobců součástek s maximálním možným napěťovým a proudovým zatížením. | cs |
dc.format | 48 s. (11 008 znaků) | cs |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Západočeská univerzita v Plzni | cs |
dc.relation.isreferencedby | https://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=74934 | - |
dc.rights | Plný text práce je přístupný bez omezení. | cs |
dc.subject | výkonové polovodičové součástky | cs |
dc.subject | dioda | cs |
dc.subject | tranzistor | cs |
dc.subject | mosfet | cs |
dc.subject | igbt | cs |
dc.subject | tyristor | cs |
dc.subject | igct triak. | cs |
dc.title | Přehled výkonových polovodičových součástek | cs |
dc.title.alternative | Summary of power semiconductor components | en |
dc.type | bakalářská práce | cs |
dc.thesis.degree-name | Bc. | cs |
dc.thesis.degree-level | Bakalářský | cs |
dc.thesis.degree-grantor | Západočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnická | cs |
dc.thesis.degree-program | Aplikovaná elektrotechnika | cs |
dc.description.result | Obhájeno | cs |
dc.rights.access | openAccess | en |
dc.description.abstract-translated | This bachelor thesis is focused on an overview of power semiconductor devices. The thesis is a structured from a component with a simpler structure to the more complex ones. Each chapter describes the function of the component, the basic parameters and its use. Each component is selected from current catalogs of component manufacturers with maximum possible voltage and current loads. | en |
dc.subject.translated | power semiconductor components | en |
dc.subject.translated | diode | en |
dc.subject.translated | transistor | en |
dc.subject.translated | mosfet | en |
dc.subject.translated | igbt | en |
dc.subject.translated | thyristor | en |
dc.subject.translated | igct | en |
dc.subject.translated | triac. | en |
Vyskytuje se v kolekcích: | Bakalářské práce / Bachelor´s works (KEV) |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|---|
BP_Rodl.pdf | Plný text práce | 2,07 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
074934_oponent.pdf | Posudek oponenta práce | 530,3 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
074934_vedouci.pdf | Posudek vedoucího práce | 293,43 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
074934_hodnoceni.pdf | Průběh obhajoby práce | 178,14 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/32180
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.
hledání
navigace