Full metadata record
DC pole | Hodnota | Jazyk |
---|---|---|
dc.contributor.author | Özkol, Engin | |
dc.contributor.author | Procel, Paul | |
dc.contributor.author | Zhao, Yifeng | |
dc.contributor.author | Mazzarella, Luana | |
dc.contributor.author | Medlín, Rostislav | |
dc.contributor.author | Šutta, Pavol | |
dc.contributor.author | Isabella, Olindo | |
dc.contributor.author | Zeman, Miro | |
dc.date.accessioned | 2020-03-09T11:00:24Z | - |
dc.date.available | 2020-03-09T11:00:24Z | - |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.identifier.citation | ÖZKOL, E., PROCEL, P., ZHAO, Y., MAZZARELLA, L., MEDLÍN, R., ŠUTTA, P., ISABELLA, O., ZEMAN, M. Effective Passivation of Black Silicon Surfaces via Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Conformal Hydrogenated Amorphous Silicon Layer. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2020, roč. 14, č. 1. ISSN 1862-6254. | en |
dc.identifier.issn | 1862-6254 | |
dc.identifier.uri | 2-s2.0-85074585368 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/36633 | |
dc.description.abstract | Solární články na bázi černého křemíku (b-Si) se ukázaly ve fotovoltaice (PV) jako nadějné a přesahující 22% účinnost. Pro dosažení vysoké účinnosti u povrchů b-Si je nejdůležitějším krokem efektivní pasivace povrchu. Dosud je nejúčinnější doba životnosti minoritních nosičů dosahována depozicí několik atomů tenké vrstvy Al2O3 nebo tepelného SiO2. Plazmou podpořená chemická depozice z par (PECVD) vrstvy hydrogenizovaného amorfního křemíku (a-Si: H) jako pasivace b-Si je jen zřídka hlášena kvůli problémům s konformitou. V této současné studii jsou b-Si povrchy superponované na standardní pyramidální textury, také známé jako modulované povrchové textury (MST), úspěšně pasivovány konformními vrstvami a-Si:H nanesenými PECVD. Je ukázáno, že za správných podmínek plazmou podpořené depozice mohou efektivní doby životnosti minoritních nosičů vzorků vybavených přední MST a zadní standardní pyramidální strukturou dosáhnout až 2,3 ms. Cesta ke konformnímu růstu je popsána a vyvinuta za pomoci transmisních elektronových mikroskopických (TEM) obrazů. Pasivované vzorky MST vykazují méně než 4% odraz v širokém spektrálním rozsahu od 430 do 1020 nm. | cs |
dc.format | 7 s. | cs |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | en | en |
dc.publisher | Wiley | en |
dc.relation.ispartofseries | Physica Status Solidi-Rapid Research Letters | en |
dc.rights | © Wiley | en |
dc.subject | černý křemík | cs |
dc.subject | conformální růst | cs |
dc.subject | hydrogenizovaný amorfní křemík | cs |
dc.subject | Plazmou podpořená depozice z plynné fáze | cs |
dc.subject | povrchová pasivace | cs |
dc.title | Effective Passivation of Black Silicon Surfaces via Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Conformal Hydrogenated Amorphous Silicon Layer | en |
dc.title.alternative | Efektivní pasivace povrchu černého křemíku vrstvou hydrogenizovaného amorfního křemíku naneseného pomocí plazmou podpořené depozice z plynné fáze. | cs |
dc.type | článek | cs |
dc.type | article | en |
dc.rights.access | openAccess | en |
dc.type.version | publishedVersion | en |
dc.description.abstract-translated | Solar cells based on black silicon (b-Si) are proven to be promising in photovoltaics (PVs) by exceeding 22%efficiency. To reach high efficiencies with b-Si surfaces, the most crucial step is the effective surface passivation. Up to now, the highest effective minority carrier lifetimes are achieved with atomic layer-deposited Al2O3 or thermal SiO2. Plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD)-grown hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) passivation of b-Si is seldom reported due to conformality problems. In this current study, b-Si surfaces superposed on standard pyramidal textures, also known as modulated surface textures (MSTs), are successfully passivated by PECVD-grown conformal layers of a-Si:H. It is shown that under proper plasma-processing conditions, the effective minority carrier lifetimes of samples endowed with front MST and rear standard pyramidal textures can reach up to 2.3 ms. A route to the conformal growth is described and developed by transmission electron microscopic (TEM) images. Passivated MST samples exhibit less than 4% reflection in a wide spectral range from 430 to 1020 nm. | en |
dc.subject.translated | black silicon | en |
dc.subject.translated | conformal growth | en |
dc.subject.translated | hydrogenated amorphous silicon | en |
dc.subject.translated | plasma-enhanced chemical vapor deposition | en |
dc.subject.translated | surface passivation | en |
dc.identifier.doi | 10.1002/pssr.201900087 | |
dc.type.status | Peer-reviewed | en |
dc.identifier.document-number | 492043900001 | |
dc.identifier.obd | 43927870 | |
dc.project.ID | ED2.1.00/03.0088/CENTEM - Centrum nových technologií a materiálů | cs |
dc.project.ID | LO1402/CENTEM+ | cs |
Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CT4) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|
MEDLIN_pssr.201900087.pdf | 1,8 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/36633
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.