Full metadata record
DC pole | Hodnota | Jazyk |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Jára Martin, Ing. Ph.D. | |
dc.contributor.author | Soukup, Dominik | |
dc.contributor.referee | Štěpánek Jan, Ing. Ph.D. | |
dc.date.accepted | 2021-6-15 | |
dc.date.accessioned | 2021-11-26T13:03:31Z | - |
dc.date.available | 2020-10-9 | |
dc.date.available | 2021-11-26T13:03:31Z | - |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.date.submitted | 2021-5-27 | |
dc.identifier | 85701 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/46112 | - |
dc.description.abstract | Předkládaná diplomová práce se věnuje návrhu a realizaci rezonančního izolujícího měniče s GaN tranzistory. V práci je uvedeno stručné porovnání polovodičových materiálů a rezonančních měničů. Dále se práce zabývá samotným návrhem měniče, který zahrnuje výběr a dimenzování polovodičových součástek, návrh budícího obvodu, mechanický koncept a následnou realizaci. Závěrečná část práce se věnuje oživení a testování prototypového měniče. | cs |
dc.format | 77 s. (65 872 znaků) | |
dc.language.iso | cs | |
dc.publisher | Západočeská univerzita v Plzni | |
dc.relation.isreferencedby | https://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=85701 | - |
dc.rights | Plný text práce je přístupný bez omezení | |
dc.subject | gan tranzistory | cs |
dc.subject | měkká komutace | cs |
dc.subject | rezonanční obvod | cs |
dc.subject | rezonanční měniče | cs |
dc.subject | driver | cs |
dc.title | Rezonanční izolující měnič s GaN tranzistory | cs |
dc.title.alternative | Resonant insulating converter with GaN transistors | en |
dc.type | diplomová práce | |
dc.thesis.degree-name | Ing. | |
dc.thesis.degree-level | Navazující | |
dc.thesis.degree-grantor | Západočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnická | |
dc.thesis.degree-program | Elektrotechnika a informatika | |
dc.description.result | Obhájeno | |
dc.description.abstract-translated | The proposed diploma thesis is dedicated to the design and realization of a resonant insulating converter with GaN transistors. The thesis provides a brief comparison of semiconductor materials and resonant converters. Further the work deals with the design of the converter, which includes the selection and dimensioning of semiconductor components, the design driver circuit, the mechanical concept and subsequent realization. The final part of thesis is devoted to activating and testing of a prototype converter. | en |
dc.subject.translated | gan transistors | en |
dc.subject.translated | soft switching | en |
dc.subject.translated | resonant circuit | en |
dc.subject.translated | resonant converters | en |
dc.subject.translated | driver | en |
Vyskytuje se v kolekcích: | Diplomové práce / Theses (KEV) |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|---|
DP.DS.pdf | Plný text práce | 4,92 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
PosudekVedoucihoSTAG.pdf | Posudek vedoucího práce | 37,81 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
PosudekOponentaSTAG.pdf | Posudek oponenta práce | 54,2 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
ProtokolSPrubehemObhajobySTAG.pdf | Průběh obhajoby práce | 23,52 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/46112
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.